作為NAND閃存的發(fā)明人，東芝研發(fā)的3D FLASH使用的是BiCS技術(shù)。BiCS FLASH™是垂直堆棧的三維(3D)閃存，相比其前一代的先進(jìn)技術(shù)，即二維(2D)NAND閃存，BiCS FLASH™中的存儲(chǔ)器單元間隔比2D NAND閃存更大。這就可以通過增加單次編程序列的數(shù)據(jù)量來提高編程速度，同時(shí)也降低了每個(gè)編程數(shù)據(jù)單元的功耗。另外BiCS FLASH™的寬存儲(chǔ)器單元間隔相比于2D NAND閃存而言，降低了單元的耦合性，提高了可靠性。
同時(shí)近日東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社宣布，已開發(fā)出全球首款采用堆棧式結(jié)構(gòu)的96層BiCSFLASH™閃存的原型樣品。未來東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社將在其512千兆比特(64GB)等大容量產(chǎn)品中應(yīng)用其新的96層工藝技術(shù)和4位元(1個(gè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元可存放4比特的數(shù)據(jù)，QLC)技術(shù)。
TR200 SSD系列具有高于傳統(tǒng)硬盤(HDD)的系統(tǒng)響應(yīng)能力和數(shù)據(jù)讀寫能力，為改善筆記本電腦和臺(tái)式電腦的用戶體驗(yàn)提供了一種簡單、便捷的方式。TR200系列采用6 Gbit/s SATA標(biāo)準(zhǔn)接口，順序讀寫性能([1])分別達(dá)到550 MB/s和525 MB/s([2])，隨機(jī)讀寫性能([3])分別達(dá)到80000 IOPS (每秒平均的隨機(jī)讀取次數(shù))和87000IOPS(每秒平均的隨機(jī)寫入次數(shù))([4])。并且，在保持高速傳輸?shù)耐瑫r(shí)，運(yùn)行功耗大幅降低，從而可以為長時(shí)間使用的用戶或者無法及時(shí)充電的用戶延長電池使用時(shí)間。
此款SSD提供三種容量：240GB、480GB和960GB([5])，全部采用2.5英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。并將于今年秋季開始零售和在線零售服務(wù)。
TR200系列將在中國上海舉辦的中國國際數(shù)碼互動(dòng)娛樂展覽會(huì)(ChinaJoy)上首次亮相，展出期間為7月27日至30日;并將于8月22日至26日在德國科隆舉辦的GamesCom展會(huì)上展出。
TR200系列
注* 連續(xù)讀寫性能是通過Iometer 1.1.0測試軟件測試的。
注** 隨機(jī)讀寫性能是通過CrystalDiskMark 5.1.2測試軟件測試的。
本文提及的所有公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱是其各自公司的商標(biāo)。
([1]) 連續(xù)讀寫性能是通過Iometer 1.1.0測試軟件測試的。
([2])該性能是根據(jù)本公司測試標(biāo)準(zhǔn)，基于128KiB單元順序訪問測得的TR200型號(hào)產(chǎn)品的順序讀取和順序?qū)懭胄阅�。根�?jù)不同的測試環(huán)境，讀寫條件以及負(fù)載，其性能存在差異。東芝定義1兆字節(jié)(MB)為1,000,000字節(jié)，1千位二進(jìn)字節(jié)(KiB)為210字節(jié)或1,024字節(jié)。
([3])隨機(jī)讀寫性能是通過CrystalDiskMark 5.1.2測試軟件測試的。
([4]) 該性能是根據(jù)本公司測試標(biāo)準(zhǔn)，基于4KiB單元隨機(jī)訪問測得的TR200型號(hào)產(chǎn)品的隨機(jī)讀取和隨機(jī)寫入性能。根據(jù)不同的測試環(huán)境，讀寫條件以及負(fù)載，其性能存在差異。東芝定義1兆字節(jié)(MB)為1,000,000字節(jié)，1千位二進(jìn)字節(jié)(KiB)為210字節(jié)或1,024字節(jié)。
([5])容量定義：本公司定義1千兆字節(jié)(GB)為1,000,000,000字節(jié)。而計(jì)算機(jī)操作系統(tǒng)使用2的冪數(shù)來標(biāo)示存儲(chǔ)容量，其定義1GB=230字節(jié)=1,073,741,824字節(jié)，因此會(huì)顯示較少的存儲(chǔ)容量。根據(jù)不同的文件大小、格式、設(shè)置、軟件和操作系統(tǒng)，可用存儲(chǔ)容量(包括各種媒體文件示例)將存在差異，如微軟操作系統(tǒng)和/或預(yù)裝軟件應(yīng)用程序或媒介內(nèi)容。實(shí)際的格式化容量可能存在差異。